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2025-08-15 18:40:02

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　　在HBM制造中，现阶段HBM3/3E（8–12层）主要依赖传统微凸块（Micro Bump）技术，采用的热压键合（TCB）设备以TC-NCF（非导电薄膜热压键合）与TC-MUF（模塑底部填充热压键合）两条路线并行发展。然而，随着堆叠层数的增加，传统TC-NCF的散热问题被逐渐放大，TC-MUF技术成为新一代HBM量产的主流技术。未来伴随着层数进一步增加以及总高受限的大前提，混合键合则被视为未来HBM进一步演进的关键。